西安市科学技术局关于市十七届人大六次会议第0175号建议的答复函

西安市科学技术局

关于市十七届人大六次会议第0175号建议的答复函

刘强代表：

您提出的《关于支持新型高压功率半导体IGBT研发及产业化的建议》（第0175号）收悉。感谢您对我市半导体产业发展的关心和支持。经我局认真研究，结合我市产业发展实际，现答复如下：

新型高压功率半导体产业一直是我国重点发展的技术领域，在顶层设计方面，国家发展和改革委《“十四五”能源领域科技创新规划》将“高压大功率IGBT国产化”列为重点攻关方向。工信部《基础电子元器件产业发展行动计划》提出2025年关键功率半导体自给率达50%。区域布局方面，湖南株洲中车时代半导体已量产4500V/3000AIGBT模块，应用于张北柔直工程；江苏国电南瑞联合华虹半导体开发3300VIGBT芯片，进入国家电网供应链；广东比亚迪半导体已建成车规级IGBT产线，年产能超50万片。我市高度重视半导体领域的发展，已将其纳入现代产业发展体系，市政府办公厅印发《西安市促进半导体及光子产业能力提升实施方案（2025—2027年）》，提升我市半导体和光子产业基础能力及竞争力。

一、加强技术攻关突破产业瓶颈

强化原创性引领性科技攻坚，实施重点产业链关键核心技术攻关“揭榜挂帅”制和重大场景应用示范项目，突破一批“卡脖子”关键技术。西安派瑞半导体作为高电压、大功率、大直径的高等级晶闸管领域的行业龙头，具有自主知识产权的高压晶闸管全压接技术、高压低温焊接技术以及终端结构设计等关键技术，通过产品创新、技术创新，形成了特大功率电力半导体器件高端产品领域的核心竞争力。公司拥有自主知识产权的特大功率电控晶闸管和特大功率光控晶闸管，成功应用于我国多个特高压直流输电工程。已建成了世界一流水平的电力半导体器件研发生产基地，拥有一流的大功率半导体器件研发、生产和测试试验设备。西安西电电力系统有限公司取得“IGBT半桥模块驱动脉冲对齐测试电路及测试方法”的专利。西安交大与IEEE电力电子学会合作发布《IGBT建模与驱动保护技术白皮书》，其中引用该项目研究成果12处。2025年国际功率半导体器件会议（ISPSD）上，该校团队展示的“基于介电泳效应的IGBT绝缘优化技术”，被评价为“为高压IGBT的小型化设计提供了突破性思路”，科研成果转化显著。

二、完善高能级科创平台体系

推动西安理工大学联合两家行业龙头企业西安中车永电电气有限公司和芯派科技股份有限公司共同建设“陕西省新能源功率半导体器件及智能系统工程技术研究中心”，聚焦轨道交通、电动汽车、智能电网、国防等行业技术需求，以新型电力半导体器件、智能功率集成模块、多传感智能信息获取与处理、宽禁带半导体材料为主要研发方向。建成SiC器件、IGCT、IGBT、VDMOS、功率模块等结构、电性能、热设计和可靠性设计平台；建立抗电离总剂量100kR（Si）、抗单粒子75Mev（mg/cm2）功率电子器件的研究平台。以中车永电公司为核心，开展制定IGBT器件可靠性测试标准及测试方法研究，投入栅极偏置试验台、高低温试验箱、加速寿命试验机等相关测试、分析设备，搭建起面向客户的IGBT器件可靠性测试平台，提升IGBT器件可靠性。

三、加速教育科技人才一体化

制定《西安市教育科技人才体制机制一体改革专项小组2025年工作要点》，凝练形成8个重点改革事项，逐项提出推进方案，努力消除体制机制卡点堵点，打通教育科技人才和科技产业金融“两个链路”。开展“十五五”规划预研，着力推动教育、科技、人才规划体系相互贯通、有效衔接。支持西部科技创新港打造科技教育人才一体化发展示范区。围绕新型高压功率半导体IGBT研发及产业化，建立以企业需求为牵引的项目立项和实施机制，探索开展“科技副总”服务企业、“产业教授”到院校挂职双向交流。构建从概念验证、小试、中试到工程化产业化全链条服务平台。

四、下一步工作计划

下一步，围绕新型高压功率半导体IGBT研发及产业化，突出企业创新主体地位、加强企业研发能力、优化产业链条和生态等方面，我局计划设立西安市半导体/集成电路产业链技术攻关集群项目，鼓励企业申报，促进企业研发创新，推动产业健康有序发展。

西安市科学技术局

2025年8月12日